市调机构counterpoint公布了今年三季度全球存储芯片市场的数据，数据显示中国在存储芯片方面占有的份额已超过日本，仅次于美国，并且与美国的份额快速缩短， 赶超美国就在旦夕之间，凸显出中国存储芯片的飞速进展。

数据指出中国占有DRAM存储芯片市场大约8%的份额，而在NAND flash存储芯片市场则更占有13%的份额，总计在存储芯片市场占有的份额已超过一成，相比起两三年前的5%份额翻倍，而这两家存储芯片企业成立于2016年，那时候从零起步，可见成长之迅速。

全球前三大存储芯片企业分别是韩国的三星和SK海力士，第三名则是美国的美光，不过近几年美光在存储芯片行业几乎已沦为陪跑的对象，占有的份额比韩国两大存储芯片少得多，韩国两大存储芯片企业合计占有全球存储芯片市场大约七成的份额。

这两年韩国两大存储芯片企业更依托于AI芯片巨头NVIDIA带起的HBM芯片大赚特赚，他们也以更先进的技术、更周到的服务与美国企业NVIDIA合作无间，相反同为美国企业的美光与NVIDIA的合作则似乎总是差了点意思，这就导致美光与韩国存储芯片企业的差距越拉越大。

与美韩存储芯片相比，中国存储芯片则主要依托于国内市场，中国是全球最大的存储芯片采购国，每年大约采购全球存储芯片大约三成左右的份额，在以往由于受制于美日韩存储芯片，他们动辄涨价的时候，中国的企业只能忍受。

那时候韩国存储芯片一会是洪水，一会是火灾，总之就是各种借口不断涨价，而好多年前韩国存储芯片就曾被美国指出操纵存储芯片价格而被重罚，凸显出韩国存储芯片本来就有操纵存储芯片价格的恶习，借此大赚特赚，而中国的制造业就是他们赚大钱的对象。

此外存储芯片还涉及到信息安全，随着数据的迸发，对存储芯片的需求量日益扩大，而事关信息安全的行业采用美日韩存储芯片自然难以让人放心，因此中国在成立集成电路产业基金之后，扶持的芯片行业之一就是存储芯片。

大约2016年中国有三家存储芯片成立，不过后来其中一家存储芯片企业因为一些原因而停滞，另外两家存储芯片企业则分别发展DRAM、NAND flash存储芯片，也正是基于另一家存储芯片的遭遇，中国这两家存储芯片选择从零做起，发展自己的存储芯片技术，避免受制于人。

NAND flash存储芯片就是从最基础的32层 NAND flash存储芯片发展，到64层NAND flash存储芯片研发成功的时候都只是小规模试产，积累技术，直到128层NAND flash才开始大规模生产，到量产232层NAND flash存储芯片的时候已成功反超美日韩存储芯片，却也在那时候遭遇芯片设备的限制。

不过中国的存储芯片没有因此停下脚步，一方面是积极利用国产设备替代，据悉今年下半年已建成全国产化的生产线，这方面在于存储芯片为了确保可靠性还在使用10纳米以上工艺，对芯片设备的要求没有逻辑芯片那么高；另一方面仍然坚持技术研发，据称已研发300层NAND flash存储芯片，技术基本与美日韩同步。

如今国产存储芯片的崛起已给中国制造业带来了积极的意义，美日韩存储芯片的涨价被抑制，在当下正迅速发展的AI芯片行业，国产HBM芯片也已量产成功，先进存储芯片的量产凸显出国产芯片技术的飞速进展，获得更多利润后又反哺国产芯片供应链，推动技术研发，形成良性循环，在芯片和芯片产业链方面都降低了对海外的依赖性。

       原文标题 : 中国这类芯片超越日本，美国也将被超越，想不到赶超如此之快