我国千兆光纤覆盖家庭超过1亿户，5G手机终端连接数突破 2 亿

2021-03-02 11:20

【软银互联网子公司宣布 47 亿美元科技投资计划,将聚焦人工智能】

3月1日晚间消息,据报道,软银集团互联网子公司 “Z Holdings”周一表示,未来五年将在技术上投资 5000 亿日元(约合 47 亿美元),重点是人工智能(AI)技术。根据协议,软银和 Line 母公司 Naver 将分别持有新成立的 A Holdings 公司 50% 的股份,而 A Holdings 又将持有上市公司 Z Holdings 65．3% 股份。

【小米、realme 证实智能手机芯片全面紧缺,消息称高通交期延长至30周以上】

3月1日消息,小米中国区总裁卢伟冰在 Redmi K40 发布会上表示,“今年芯片缺货,不是缺,而是极缺。今年不是一般的缺芯,因此也不立下 Flag 了,不敢承诺今年手机会不缺货。”而 realme 相关负责人则表示,“高通主芯片、小料都缺货,包括电源类和射频类的器件。”

手机供应链人士称,高通全系列物料交期延长至 30 周以上,CSR 蓝牙音频芯片交付周期已达 33 周以上,此外,包括华为、OPPO 以及 vivo、一加在内手机厂商都在加大手机产品的备货数量,这无疑加大了芯片供需不平衡。

【工信部:5G流量单价4．4元 /GB,两年降46%,未来还会降】

3月1日消息,据中新经纬报道,当日,国新办就工业和信息化发展情况举行发布会。工信部部长肖亚庆表示,5G 户均移动互联网接入流量较4G用户高出约 50%,现在单价降到 4．4 元 / GB。这两年下降 46%,未来还会进一步下降。肖亚庆还介绍,2020 年手机终端出货量达到 1．63 亿部,上市的新机型款式 218 种。

【供应链确认:中芯国际获美部分供应商供应许可,主要涵盖成熟工艺】

3月1日消息,据媒体从供应链处获悉,中芯国际已获得部分美国设备厂商的供应许可,主要涵盖成熟工艺用半导体设备等。

媒体了解到,今年1月初,就有媒体报道中芯国际已获得美国成熟制程许可证,包括 EDA、设备和材料等。另有媒体报道指出,中芯国际已经从 20nm 工艺制程,一直攻克到了 3nm 工艺制程,唯一缺的就是 EUV 光刻机。有了 EUV 光刻机,中芯国际也能进行 3nm 芯片的量产。

【我国千兆光纤覆盖家庭超过1亿户,5G 手机终端连接数突破 2 亿】

3月1日消息,据央视新闻,当日上午,国务院新闻办公室举行新闻发布会。报道指出,我国建成了全球规模最大的光纤和 4G 网络,千兆光纤覆盖家庭超过 1 亿户,所有城市建成了光网城市。

媒体了解到,到 2020 年底,我国累计开通 5G基站71．8 万个,5G 手机终端连接数突破 2 亿户;IPv6 规模部署纵深推进,活跃连接数达到 13．9 亿,4G 网络 IPv6 流量占比从无到有,超过 15%。

【因中国半导体厂商加紧采购,二手制造设备均价上涨20%】

据报道,中国半导体制造商正在加紧采购旧的芯片制造设备,推高了日本二手芯片设备市场的价格。三菱UFJ租赁金融公司的消息人士表示:“将近90%的旧的芯片制造设备似乎都将销往中国。”随着全球芯片需求的增长,即便不是最先进的芯片制造设备也呈现销售旺盛的态势。一家大型租赁公司的消息人士称:“二手设备的价格每年都在上涨。在过去的一年中,价格平均上涨20%。”诸如光刻系统之类的核心设备的价格上涨三倍。

【外媒:显卡短缺可能会持续到 2022 年】

3月1日消息,据国外媒体PCgamesN报道,外媒称,AMD和英伟达显卡的供应短缺可能会持续到2022 年。摩根大通分析师哈伦 · 苏尔(Harlan Sur)表示,对 GPU 的需求比产量高出 10%-30%。这就需要台积电等晶圆代工厂再生产数百万个 GPU,这样数百万个 GPU 才能被销售。

【北美半导体设备 1 月份出货 30 亿美元,创历史新高】

近日消息,SEMI(国际半导体产业协会)日前公布了 2021 年 1 月份北美半导体设备出货报告,出货金额达 30．4 亿美元,创下历史新高记录。

由于半导体市场需求旺盛,产能供不应求,晶圆代工厂和 IDM 厂的逻辑制程产能订单排到下半年,DRAM 及 NAND Flash 价格止跌回升,带动存储厂加快新制程量产,预计全年半导体设备销售额将创下历史新高。

【爱立信已斩获全球 131 个 5G 商用合同,40 个国家正在使用】

3月1日消息,爱立信官网公布的数据显示:截至目前,爱立信已经在全球斩获 131 个 5G 商用合同,其中爱立信已经与 75 家运营商客户达成可公示的 5G 商用合同,目前在 40 个国家为 79 个已经正式运行的 5G 商用网络提供设备。

【中国科大研制出新型隔离电源芯片】

3月1日消息,近日,中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组在全集成隔离电源芯片设计领域取得重要成果。研究者提出了一种基于玻璃扇出型晶圆级封装(FOWLP)的全集成隔离电源芯片。

所提出的架构通过在单个玻璃衬底上利用三层再布线层(RDL)实现了高性能微型变压器的绕制,并完成与发射和接收芯片的互联,有效地提高了芯片转换效率和功率密度,为今后隔离电源芯片的设计提供一个新的解决方案。