聚焦中兴被制裁三大热点 “中国芯”离了美国不行？

2018-04-23 08:39

目前我国高端芯片研制进展如何？

十三五国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长、中科院半导体所副所长祝宁华表示，我国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新，取得了丰硕的创新性成果。

祝宁华介绍，仅从“863”计划的十二五规划来看，国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、光交换、接入网、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。“这些研发项目有很多都是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五国家研究计划中，都有相应的部署。”

祝宁华分析，当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件。据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米，研发工艺为90纳米。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。

十三五国家重点研发计划宽带通信和新型网络重点专项专家组成员、北京大学教授李红滨表示，只要我们坚持已有的开放、竞争合作、共同发展道路不动摇，集中政府、研发机构、企业的优势力量，相信用不了太久，在产业链高端——核心芯片上也必然会取得同样令世人瞩目的成就。

（来源：人民日报客户端记者：赵展慧、王政、冯华）

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